現(xiàn)貨供應(yīng)8寸156多晶硅片
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156*156多晶硅片規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)：
 生長(zhǎng)方法  Growth Method  DSS
 導(dǎo)電型號(hào)  Conductive Type  P
 摻雜劑  Dopant  B
 電阻率  Resistivity（ρ）  1.0 -3.0Ω?cm 
 少子壽命  Minority Carrier Lifetime  ≥2μs(brick 硅塊)
 氧含量  Oxygen Content(oi)  ≤1.0*1018 at/cm3
 碳含量  Carbon Content(c)  ≤1.0*1017 at/cm3
 硅片尺寸  Size  156*156±0.5mm
 倒角線角度  Bebel Edge Angle  45°± 10°
 倒角線寬度  Bebel Edge Width  0.5-2mm
 硅片厚度  Thickness  200±20 μm
 總厚度變化  TTV  ≤30μm
 線痕  Saw Mark  ≤15μm
 彎曲度/翹曲度  Bow/Warp  ≤75μm
 崩邊  chip  深度<0.3mm；長(zhǎng)度<0.5mm。
 微裂紋  Crack  不允許
 外觀  Appearance  目視檢查無(wú)污點(diǎn),缺口,孔洞和裂紋
 晶粒尺寸  Crystal Grain  ≥1cm2
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1. 類型：P型；2. 尺寸：156×156±0.5mm；3. 厚度：200±20 us；4.  電阻：0.8~3Ω?cm
5. 少子壽命：≥ 2us；6. 損傷層：無(wú)；7. TTV：≤50um；8. 垂直度：90°±0.3°
9.  翹角度：≤ 40um；10. 氧含量：＜4×10 17cm－3  11. 碳含量：＜2×1018 cm－3
12. 表面完整光潔，無(wú)油污等水痕現(xiàn)象，無(wú)裂紋，針孔及明顯的切割線。